反应离子刻蚀
主要特点
气体通过顶部电极淋喷头进气口进入处理室
在下部电极形成负自给偏压
单个RF等离子体源确定离子密度和能量
为了避免电极材料的溅射和再沉积，衬底通常放置在一块石英和石墨盖板上
5-500 mTorr工作气压
RIE的功能
普通等离子刻蚀的经济解决方案
操作简单
刻蚀工艺的多选择性
高速各向同性的化学刻蚀
中等速率的各向异性的离子诱导刻蚀
慢速率各向异性的物理刻蚀
广泛应用在半导体加工故障和失败分析
大多数材料能够刻蚀，包括介电材料(SiO2, SiNx, etc.)，硅基材料(Si, a-Si, poly-Si)，III-V材料 (GaAs, InP, GaN, etc.)，金属材料(Au, Pt, Ti, Ta, W, etc.)，类金刚石碳 (DLC)
型号及参数
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8 or 12 line gas box available
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8 or 12 line gas box available
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8 or 12 line gas box available
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