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半导体参数分析仪

4200-SCS是一款能进行器件、材料或过程电气特性分析的模块化全集成参数分析仪。利用9个测量槽和内置低噪声接地单元，您可以根据测试要求或预算限制进行精密配置。
I-V曲线
直流I-V测量是器件和材料测试的基础。4200-SCS源测量单元（SMU）是高精度源电流或电压以及同步测量电流和电压的精密仪器。4200-SCS提供的宽范围I-V测量包括：亚ρA漏电测量、μΩ电阻测量。

C-V曲线
电容-电压（C-V）测试广泛用于确定各种半导体参数，例如掺杂浓度和分布、载流子寿命、氧化层厚度、界面态密度等。4200-SCS提供3种C-V法：多频（1kHz~10MHz）C-V、超低频（10mHz~10Hz）C-V和准静态C-V。

脉冲I-V曲线

在分析器件特性时，脉冲I-V测试非常适于防止器件自发热或最小化电荷俘获效应。通过用窄脉冲和/或小占空比脉冲代替直流信号，可以在保持DUT性能的同时提取重要参数。瞬态I-V测量能让科学家或工程师在时域采集超高速电流或电压波形以便研究动态特性。

栅氧化层

保持MOS结构栅氧化层的质量和可靠性是半导体圆厂的一项关键任务。电容-电压（C-V）测量通常用于深入研究栅氧化层的质量。4200-SCS配备C-V仪器模块后能简化MOS电容器测量的检验和分析。4200-SCS包括了氧化层厚度、平带电压和阈值电压等常用测量参数。

可靠性
应力测量检测常用于估计半导体器件的工作寿命和磨损性故障。标准WLR测试包括热载流子注入（HCI）或沟道热载流子（CHC），负偏压温度不稳定性（NBTI）以及与时间有关的介质击穿（TDDB）。这类数据用于评价器件设计和监控制造过程。

非易失性存储器
凭借超快I-V模块的多脉冲波形发生和测量功能，4200-SCS专用于应对尖端的、非易失存储设备的挑战。下面示出强大功能能让您满足几乎所有NVM电池的测试需求。

纳米技术
纳米技术研究分子级物质，一个一个的原子，以建立具有全新特性的结构。现在的研究包括利用碳纳米管、半导体纳米线、有机分子电子和单电子器件的设备。由于物理尺寸太小，这些器件不能用标准方法测试。4200-SCS参数分析仪具有广泛的测试应用库能让您快速、自信地完成测试。

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