高功率倍频半导体激光器
应用范围:
原子光学：激光冷却和囚禁； 玻色爱因斯坦凝聚和简并费米气体；离子激光冷却和囚禁 量子信息；计量学（频率、加速度、角动量，基本物理常数）；光谱学（原子、分子、量子点、痕量气体）；光泵浦及EIT；Rydberg激发；磁力计；激光雷达注入；干涉仪及全息
窗体顶端
产品特征：
- 高功率、可调谐、单频半导体激光器
- 谐振腔倍频技术
- 波长范围：320 ~ 780nm, 线宽< 500 kHz
- 基于pro technology技术高稳定性和易用性
- 最新：1W @ 589nm（用于纳原子冷却）
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波长范围 *
* 使用不同的倍频晶体和镜子
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323 .. 590 nm (使用半导体放大芯片)
520 .. 590 nm (使用光纤放大)
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种子光
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DL pro, DL 100/pro design, DL DFB
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放大器
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半导体放大芯片(TA pro),光纤放大(FA) 或拉曼光纤放大(RFA)
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倍频系统
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SHG pro
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粗调范围
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2 .. 10 nm
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无跳模范围
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> 20 GHz
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运行模式
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单频
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线宽
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< 2 MHz @ 5 µs
< 500 kHz with DL pro
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输出功率
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最高到2W（取决与波长）
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空间模式
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近衍射极限
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光隔离器
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包含两个60 dB隔离器
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光束整形
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内置
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水冷
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不需要
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控制机柜
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DC110, 19”双层机柜
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预热时间
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< 5 min（典型值）
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运行电压
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100..120 V/ 220..240 V AC
50..60 Hz（自动探测）
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功耗
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< 150 W（典型值），300 W（最大值）
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