科研级半导体激光器是满足绝大多数的物理学、化学和生命科学的光谱应用，开发和制造客户自定义和内部修改产品是我们的主要优势之一。

激光器	波长范围	典型功率范围	典型调谐范围	典型无跳模调谐	典型线宽(5 猀)
可调谐半导体激光器
DL pro	370-517 nm*	3..300 mW	2..80 nm	20..50 GHz	0.1..1 MHz
	632-1770 nm*
DL 100	370-517 nm*	3..300 mW	2..80 nm	20 GHz	0.1..1 MHz
	632-1770 nm*
DL pro HP	401-409 nm	最大30 - 40 mW	2..3 nm	20..50 GHz	< 2 MHz
	420-424 nm
	637nm
DL DFB	640..685 nm*	2..150 mW	2..6 nm	1000 GHz	1..4 MHz
	760-2880 nm
高功率、放大级半导体激光器
TA pro	645..1190 nm*	250..3000 mW	15..70 nm	20-50 GHz	0.1..1 MHz
BoosTA	645..1083 nm*	最大+20 dB	15..70 nm	取决于主机	取决于主机
		(最大1.5 W)
频率变换半导体激光器
DL-SHG pro	320..650* nm	1..50 mW	2 - 10 nm	> 20 GHz	< 500 kHz
TA-SHG pro	323-635 nm*	最大 2 W	2 - 10 nm	> 20 GHz	< 500 kHz
(DL-FA-SHG pro)	(520-780 nm)	(最大 5 W)
TA-FHG pro	205-317 nm*	最大100 mW	1 - 4 nm	> 40 GHz	< 1 MHz
(DL-FA-FHG pro)	(260-390 nm)